內(nèi)存頻率達(dá)3000MHz 近期存儲消息匯總
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全球最大存儲制造商三星近日正式宣布開始量產(chǎn)20nm內(nèi)存顆粒，單顆容量全面進(jìn)入4Gb時代，主流智能手機只需配備2顆就可以實現(xiàn)1GB的內(nèi)存容量。
目前三星內(nèi)存產(chǎn)品線主要集中在30nm工藝，使用20nm工藝后，將可以為移動計算推出更加薄和更低功耗的內(nèi)存顆粒，而四層2GB的內(nèi)存顆粒厚度也只有0.8mm，相比30nm產(chǎn)品薄了約20%。
另外使用20nm工藝后，單位面積上的硅片可以獲得更多的芯片，這也導(dǎo)致芯片成本的直接下降，消費市場將會直接獲利。
文章來源了：softpedia
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