宇瞻：不肆意殺價! 07年內(nèi)存全面缺貨
對于明年的內(nèi)存價格，是大家關(guān)注的焦點。“一直在為內(nèi)存價格忙，跟期貨一樣，有著太多的不確定”長期從事內(nèi)存芯片顆粒采購的刁筱琳，面對內(nèi)存價格多少表達了一些無奈。但是可以談到的是“明年內(nèi)存一定是大量缺貨”。
內(nèi)存晶圓廠已經(jīng)不堪重負，2007年的高需求依然讓整個市場面臨缺貨今年的8月21日內(nèi)存價格開始急速攀升后，原因是內(nèi)存廠商用缺貨導(dǎo)致內(nèi)存價格上漲的跡象來提醒分銷商需要引起足夠的重視。事實上，這次的漲價不過是從去年開始的一系列動作積累后的一次爆發(fā)，由于從去年底開始，不少半導(dǎo)體廠商在產(chǎn)能調(diào)配中受到閃存移動產(chǎn)品高速發(fā)展導(dǎo)致的需求膨脹的影響，促使各半導(dǎo)體廠商將產(chǎn)能更多的調(diào)配在NAND flash 存儲芯片制造上，導(dǎo)致現(xiàn)在供求市場失去平衡，這種情況將持續(xù)至年底。
內(nèi)存市場，從2004年開始，無論從價格到銷量上一直走下坡路，直至2006年底才停住了腳步。2006年后到2008年的時間里，將會有一個合理的上升空間的出現(xiàn)。如果說2005年是由上而下俯沖的一年，那么2006年是觸底反彈、攀升的一年，只是今年的整體攀升并沒有我們想像中的那樣快。2007年1月發(fā)布Vista之后，將會是一個機會。
據(jù)業(yè)內(nèi)人士估計，明年DRAM采購量將較今年增加五成，前景喜人。但另外一方面，目前內(nèi)存廠商無法滿足需求，而隨DRAM產(chǎn)能開出，后段封測廠資本支出增加幅度卻不足因應(yīng)，全球內(nèi)存工廠利用率已達97%，即使加上新生力軍日月鴻，原本即緊俏的內(nèi)存封測產(chǎn)能2007年仍將面臨不足的情況。僅可提供訂單的7成水平。在無法供應(yīng)DDR2 667MHz的情況下，目前只能以DDR2 533MHz產(chǎn)品供應(yīng)，產(chǎn)能極其緊張。
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