性能提升10%以上!DDR3 1600對決1333
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內(nèi)存規(guī)格對比表
● DDR3優(yōu)勢何在?
DDR3與DDR2相比,優(yōu)勢在于8bit預(yù)取設(shè)計,而DDR2為4bit預(yù)取,這樣DRAM內(nèi)核的頻率只有接口頻率的1/8,DDR3-800的核心工作頻率只有100MHz。DDR3的數(shù)據(jù)傳輸率高達1.6Gb/s,是目前DDR2的兩倍。采用點對點的拓樸架構(gòu),以減輕地址/命令與控制總線的負擔。100nm以下的生產(chǎn)工藝,將工作電壓從1.8V降至1.5V,增加異步重置(Reset)與ZQ校準功能。
從規(guī)格上可以看出,DDR3要強于DDR2內(nèi)存,唯一不足的是高延遲使其在低頻率上比DDR2內(nèi)存性能要差不少。從之前我們測試結(jié)果看,DDR3-1066與DDR2-1066相比還是有些稍慢(詳細內(nèi)容)。但是DDR3的一個主要的特性就是頻率起點高,相信未來高頻內(nèi)存的出現(xiàn)肯定比DDR2性能高出不少。正是這個原因內(nèi)存廠商都紛紛看好DDR3內(nèi)存,不僅如此Intel也力推DDR3內(nèi)存。
Intel今年主推的芯片組,基本上都支持DDR3內(nèi)存
Intel推出Bearlake系列芯片組中,P35以及G33芯片組同時內(nèi)建DDR2及DDR3內(nèi)存控制器,因此支持DDR3的主板以及DRAM模塊將會在今年第二季就會出現(xiàn)在市場上。隨著此款芯片組的普及,想不用DDR3都是不可能的。
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