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性能提升10%以上！DDR3 1600對(duì)決1333

    DDR3內(nèi)存最近曝光率不斷增加，因?yàn)殡S著CPU、主板芯片的不斷發(fā)展，還有軟件的不斷演變，DDR2內(nèi)存已經(jīng)漸漸不能滿(mǎn)足高端處理器對(duì)內(nèi)存帶寬的需求，其頻率不能滿(mǎn)足更高帶寬的平臺(tái)的使用，再向上提升較為困難。這就需要采用新的技術(shù)來(lái)保證速度的可持續(xù)性發(fā)展，所以DDR3內(nèi)存呼之欲出，用以滿(mǎn)足更高帶寬的需求。

內(nèi)存規(guī)格對(duì)比表

● DDR3優(yōu)勢(shì)何在？

    DDR3與DDR2相比，優(yōu)勢(shì)在于8bit預(yù)取設(shè)計(jì)，而DDR2為4bit預(yù)取，這樣DRAM內(nèi)核的頻率只有接口頻率的1/8，DDR3-800的核心工作頻率只有100MHz。DDR3的數(shù)據(jù)傳輸率高達(dá)1.6Gb/s，是目前DDR2的兩倍。采用點(diǎn)對(duì)點(diǎn)的拓樸架構(gòu)，以減輕地址/命令與控制總線的負(fù)擔(dān)。100nm以下的生產(chǎn)工藝，將工作電壓從1.8V降至1.5V，增加異步重置（Reset）與ZQ校準(zhǔn)功能。

    從規(guī)格上可以看出，DDR3要強(qiáng)于DDR2內(nèi)存，唯一不足的是高延遲使其在低頻率上比DDR2內(nèi)存性能要差不少。從之前我們測(cè)試結(jié)果看，DDR3-1066與DDR2-1066相比還是有些稍慢(詳細(xì)內(nèi)容)。但是DDR3的一個(gè)主要的特性就是頻率起點(diǎn)高，相信未來(lái)高頻內(nèi)存的出現(xiàn)肯定比DDR2性能高出不少。正是這個(gè)原因內(nèi)存廠商都紛紛看好DDR3內(nèi)存，不僅如此Intel也力推DDR3內(nèi)存。

Intel今年主推的芯片組，基本上都支持DDR3內(nèi)存

    Intel推出Bearlake系列芯片組中，P35以及G33芯片組同時(shí)內(nèi)建DDR2及DDR3內(nèi)存控制器，因此支持DDR3的主板以及DRAM模塊將會(huì)在今年第二季就會(huì)出現(xiàn)在市場(chǎng)上。隨著此款芯片組的普及，想不用DDR3都是不可能的。