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    光刻蝕完成后，要記得把感光層去掉（這里形成了部分裸露硅層），下一步就是加入帶有感光層的多晶硅層，此處用到了金屬原料，因此多晶硅層又被稱為CMOS（即金屬氧化物半導體），多晶硅允許在晶體管隊列端口電壓起作用之前建立門電路。此后就是再次進行光刻蝕，最后再對暴露在外面的硅層進行離子轟擊，以生成N溝道或P溝道，創(chuàng)建全部的晶體管及彼此間的電路連接。

光刻蝕后要去掉感光層

創(chuàng)建晶體管及之間的電路連接