內(nèi)存升級(jí)免費(fèi)午餐！DDR3超頻終極解析
簡(jiǎn)要看完DDR3內(nèi)存的時(shí)序和SPD信息后，接下來(lái)就開(kāi)始正式的測(cè)試，為最大限度發(fā)揮內(nèi)存的性能，測(cè)試使用了Intel新一代22nm Ivy Bridge處理器Core i5 3570K，Intel官方指導(dǎo)內(nèi)存支持頻率為DDR3 1600。搭配的華碩P8Z68-V主板，內(nèi)存超頻最高可以支持雙通道DDR3 2800MHz規(guī)格，最大容量為32GB，當(dāng)然主板支持Intel的X.M.P技術(shù)。
內(nèi)存方面自然是本次測(cè)試的重點(diǎn)，選用了一對(duì)俗稱(chēng)三星“金條”的DDR3 1600內(nèi)存，產(chǎn)品DDR3 1600頻率這一檔內(nèi)存時(shí)序?yàn)?1-11-11，而根據(jù)以前的經(jīng)驗(yàn)產(chǎn)品可以輕松超越DDR3 2133MHz，并且保持在較好的時(shí)序下，而市面上就有一些內(nèi)存就完全基于三星金條，只不過(guò)套了一個(gè)散熱馬甲，頻率預(yù)設(shè)這在DDR3 2133MHz，當(dāng)然無(wú)可厚非三星金條確實(shí)有不錯(cuò)超頻潛能。
三星新款內(nèi)存模組編號(hào)為M378B5273DH0-CK0，生產(chǎn)日期為2012年第38周，產(chǎn)品使用的內(nèi)存顆粒編號(hào)為K4B2G0446D-BCK0，不過(guò)在官方查詢(xún)到的資料上面并沒(méi)有這樣一個(gè)產(chǎn)品，官方有的編號(hào)為K4B2G0446D-HCK0以及我們熟知的K4B2G0446D-HCH9。
內(nèi)存顆粒編號(hào)K4B2G0446D-BCK0
我們猜測(cè)K4B2G0446D-BCK0為K4B2G0446D-HCK0的演化版本，但從6D的后綴基本可以判斷產(chǎn)品還是使用了30nm工藝，超頻值得期待。
值得注意的是再三星的官方文檔上我們還看到了一款編號(hào)為K4B2G0446D-HCMA的內(nèi)存顆粒，產(chǎn)品用于制作DDR3 1866內(nèi)存，同樣采用了78pin FBGA封裝，雖然內(nèi)存時(shí)序?yàn)?3-13-13，但是我們依然可以感覺(jué)到超頻新秀的氣息。
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