內(nèi)存升級免費午餐！DDR3超頻終極解析
刷新完內(nèi)存后，現(xiàn)在用戶還有更重要的事情要做，就是穩(wěn)定性驗證，在這里推薦Memtest，為了安全起見，建議跑到400%以上。
測試完成后，我們還是來檢驗下內(nèi)存的性能提升吧，對比的成績?yōu)槟JDDR3 1600MHz的成績。
DDR3 1600
DDR3 2133
首先進行的AIDA64內(nèi)存帶寬測試，內(nèi)存超頻后的讀寫成績分別為21252MB/s和20010MB/s，對比默認的成績有了明顯的提升，另外內(nèi)存延遲也從46.1ns降至38.2ns。
DDR3 1600
DDR3 2133
接下來的3DMark 11物理測試得分也同樣提升很明顯。
● 注意事項：
1.由于涉及到BIOS修改，用戶務必備份原始BIOS，以防修改失敗刷回原始BIOS，實際失敗了也可以以低頻率和時序啟動，當然最重要的是原始BIOS用于售后維修，如果內(nèi)存被人為刷新估計質(zhì)保就此沒有了。
2.修改BIOS一定要閱讀JEDEC官方的4_01_02_11R21A、JESD79-3F以及Intel的Intel Extreme Memory Profile(XMP) Specification文檔，并最好參考一些高端內(nèi)存的頻率、延遲設置，因為這些設置都比較保守，出問題的可能性不大。
3.對于參數(shù)的修改，切記不要盲目求大，這樣很容易導致內(nèi)存出錯率提升甚至無法啟動，相反的我們應該選擇降一檔的規(guī)格來設置內(nèi)存頻率和延遲，以確保配置穩(wěn)定。
4.如果內(nèi)存刷新失敗，可以嘗試使用一根好的內(nèi)存啟動，等系統(tǒng)啟動完成后迅速將刷新失敗的內(nèi)存插入，先嘗試倒入原始的備份BIOS。
5.由于諸多原因，文中用到的軟件和資料不便公開分享，如有需要可留言探討內(nèi)存超頻技巧?！?
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