DDR400狂飆270MHz 優(yōu)品LED海盜旗首測(cè)
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CPU與內(nèi)存同步提升10MHz,保持BIOS默認(rèn)內(nèi)存電壓2.6V,順利開(kāi)機(jī)進(jìn)入系統(tǒng)。測(cè)試MemTest不久后開(kāi)始發(fā)現(xiàn)一個(gè)錯(cuò)誤,重新啟動(dòng)機(jī)器將內(nèi)存電壓調(diào)整到2.7V,再次開(kāi)機(jī)可以一次通過(guò)MemTest 300%測(cè)試。軟件測(cè)試成績(jī)?nèi)缦拢?/DIV>
CPU-Z 1.29截圖
CORSAIR內(nèi)存監(jiān)控軟件截圖
EVEREST內(nèi)存讀取數(shù)據(jù)測(cè)試(分?jǐn)?shù)越高越好)
EVEREST內(nèi)存寫(xiě)入數(shù)據(jù)測(cè)試(分?jǐn)?shù)越高越好)
EVEREST內(nèi)存潛伏時(shí)間測(cè)試(分?jǐn)?shù)越低越好)






由于SPD時(shí)序2-2-2-5可以說(shuō)已經(jīng)是DDR400(200MHz)的極限參數(shù),因此想要再次提高頻率將是非常困難的事。盡管僅僅提升了10MHz我們?nèi)匀恍枰黾悠?.1V電壓,不過(guò)對(duì)比一下默認(rèn)200MHz時(shí)的成績(jī)提升還是比較明顯的。
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第1頁(yè):全球最強(qiáng)的DDR內(nèi)存現(xiàn)身POP評(píng)測(cè)室第2頁(yè):測(cè)試平臺(tái)及測(cè)試說(shuō)明第3頁(yè):200MHz 2.0-2-2-5 2.6V第4頁(yè):210MHz 2.0-2-2-5 2.7V第5頁(yè):220MHz 2.5-3-3-5 2.8V第6頁(yè):230MHz 2.5-3-3-5 2.8V第7頁(yè):240MHz 2.5-3-3-5 2.8V第8頁(yè):250MHz 2.5-3-3-5 2.8V第9頁(yè):260MHz 2.5-3-3-5 2.8V第10頁(yè):270MHz 3.0-4-4-8 2.8V第11頁(yè):圖表數(shù)據(jù)對(duì)比及產(chǎn)品總結(jié)
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