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DDR400狂飆270MHz 優(yōu)品LED海盜旗首測

    當我們需要再次提升CPU與內(nèi)存頻率的時候，由于我們手里這顆CPU體質(zhì)不是很好，需要加電壓才能上更高的外頻。進入主板BIOS將CPU電壓提高0.05，而內(nèi)存電壓和SPD時序仍然保持2.8V 2.5-3-3-5不變。再次開機測試后，懷著忐忑不安的心情繼續(xù)MemTest 300%竟然還能順利通過……

 CPU-Z 1.29截圖

 

 CORSAIR內(nèi)存監(jiān)控軟件截圖

 

 

 SiSoftware內(nèi)存帶寬測試（分數(shù)越高越好）

 PCMark04內(nèi)存單項測試（分數(shù)越高越好）

 

 EVEREST內(nèi)存讀取數(shù)據(jù)測試（分數(shù)越高越好）

 

 EVEREST內(nèi)存寫入數(shù)據(jù)測試（分數(shù)越高越好）

 

 

 EVEREST內(nèi)存潛伏時間測試（分數(shù)越低越好）

 

    在測試成績繼續(xù)彪升的同時，我們也基本可以總結(jié)出TCCD顆粒的非常好的工作電壓為2.8V，與另一款超頻顆粒BH5相比，TCCD顆?？梢栽诤馨踩碾妷合戮蛣?chuàng)造出非常不錯的超頻成績。