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??? 因為供過于求所造成的DRAM報價大跌，使得上游DRAM制造廠直接面臨了虧損擴(kuò)大、現(xiàn)金凈流出的生存保衛(wèi)戰(zhàn)。雖然下游模組廠壓力不若上游廠來得大，不過為了保留資金，模組廠也紛紛持續(xù)調(diào)降庫存，除了創(chuàng)見降幅稍小外，包括威剛及勁永，第三季末庫存分別較第二季末大減33%%及44%%。 ??? 威剛董事長陳立白早在年初就喊出，DRAM制造廠必須要減產(chǎn)，才能讓DRAM報價有回升的機(jī)會，不過當(dāng)時并沒有DRAM廠

??? DRAM廠商減產(chǎn)效應(yīng)本月可望發(fā)酵，產(chǎn)業(yè)景氣有機(jī)會“融冰”。分析師表示，明年1Gb全年均價若站上1.6美元，對成本結(jié)構(gòu)良好的DRAM廠商而言，成本有機(jī)會下降到1.8美元以下，虧損大幅降低，營運現(xiàn)金壓力將會大減。 ??? 臺灣DRAM廠商明年農(nóng)歷年前手中可轉(zhuǎn)換公司債一一到期，加上DRAM價格低迷，現(xiàn)金壓力越來越大；但多家DRAM廠商及交易商預(yù)期，明年首季DRAM價格有機(jī)會止穩(wěn)、且逐步向上反彈

??? 根據(jù)JEDEC的規(guī)范標(biāo)準(zhǔn)，通過提升硅晶圓芯片制造工藝而降低核心IO電壓以提升性能的DDR3內(nèi)存模組會推出稱作為DDR3L的低電壓版本內(nèi)存規(guī)范，新標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定電壓為1.35v，比較當(dāng)前的1.5v標(biāo)準(zhǔn)還要低，這將會在絕大多數(shù)主流產(chǎn)品中節(jié)能20%%。??? 新內(nèi)存將會和當(dāng)前現(xiàn)存的1.5v版本DDR3內(nèi)存相互兼容，但前者并不會受到原有規(guī)范的制約，所有基于JEDEC規(guī)范的DDR3內(nèi)存模組都會配備SPD（s

??? 市場調(diào)研機(jī)構(gòu)iSuppli的最新報告顯示，2008年第一季度DRAM內(nèi)存芯片產(chǎn)業(yè)繼續(xù)一片低迷，各大廠商的境況都非常糟糕。???? 在這種情況下，各廠商紛紛壓縮產(chǎn)能，只有業(yè)界龍頭三星電子大規(guī)模增加產(chǎn)量，并取得了一定的成果：季度銷售收入18.14億美元，環(huán)比減少6.2%%，但低于全球7.4%%的平均水平，而且同期全球份額增加了0.4個百分點，達(dá)到30.6%%。iSuppli指出，雖然三星此舉有利于提

??? 近期，iSuppli針對2007年DRAM模組廠的統(tǒng)計報告出爐，讓市場相當(dāng)驚訝之處在于，金士頓市占率2006年從18.1%%，大幅躍升至27.5%%。??? 由于2007年全球獨立品牌DRAM模組的營收規(guī)模約81億美元，相較2006年營收規(guī)模122億美元還減少33.5%%，代表金士頓的市占率成長皆來自所有競爭對手的市占率減少的部分，可見2007年這波DRAM崩盤潮下來，除了宏億、勤茂紛紛提前畢業(yè)

??? 據(jù)奇夢達(dá)亞太區(qū)計算類存儲產(chǎn)品部市場經(jīng)理吳至中介紹，目前70nm工藝已占奇夢達(dá)70%%產(chǎn)能，今年將會導(dǎo)入58nm制程，然后會不斷向46nm、30nm挺進(jìn)。吳至中透露，70nm是奇夢達(dá)DDR3產(chǎn)品的工藝起點，但低功耗的實現(xiàn)能力則是奇夢達(dá)的技術(shù)優(yōu)勢。??? 據(jù)悉，英特爾將在2008年中，推出業(yè)界首臺擁有省電、高性能的DDR3內(nèi)存之迅馳移動運算技術(shù)平臺。Intel對此的評價是，即將上市的Intel迅

??? DRAM經(jīng)過一年多來的低檔整理之后，從4月開始陸續(xù)出現(xiàn)反轉(zhuǎn)跡象，現(xiàn)貨價及合約價紛紛翻揚，第二季DRAM價格在筑底完成后，隨著需求回溫，報價續(xù)漲機(jī)率不小，模組廠可望回沖之前的庫存跌價損失，至于部分庫存比重較高的一線廠更將有溢價獲利。??? 第一季DRAM上游廠產(chǎn)能供給狀況，雖然日本廠爾必達(dá)第一季產(chǎn)出高達(dá)33%%，不過韓國海力士調(diào)整產(chǎn)能，單季DRAM銷售率僅成長5%%，歐洲廠奇夢達(dá)第一季銷售率更為

??? 在2008年4月23日，金士頓簽約WE戰(zhàn)隊的發(fā)布會活動之后，我們對金士頓大中國區(qū)內(nèi)存產(chǎn)品經(jīng)理馮若昊和著名選手Sky進(jìn)行了采訪，采訪的主題就是雙方的合作。根據(jù)馮若昊的介紹，金士頓雖然在歐美曾經(jīng)有和游戲戰(zhàn)隊合作過，不過在中國區(qū)還是第一次。以后會考慮跟聯(lián)盟硬件廠商以及游戲廠商合作推廣。他表示金士頓的HyperX系列是針對游戲發(fā)燒友的產(chǎn)品，品質(zhì)在世界范圍內(nèi)也是一流；而WE戰(zhàn)隊在游戲玩家的領(lǐng)域影響力

??? 說到World Elite（WE）戰(zhàn)隊，可能有的朋友還不是很熟悉?？墒翘岬饺俗逄焱鮏KY，玩WAR3的朋友幾乎沒有不知道的，SKY就是WE戰(zhàn)隊的主力隊員之一。WE成立于2005年4月，是國內(nèi)專業(yè)電子競技網(wǎng)站Replays.Net所屬的職業(yè)電子競技戰(zhàn)隊。目前主要的優(yōu)勢項目還是《魔獸爭霸3》，WE也是中國國內(nèi)唯一一支參加WC3L職業(yè)戰(zhàn)隊聯(lián)賽的隊伍，成立之初便摘得2005WCG全球總冠軍桂冠，也

??? 此次CeBIT展會上，海盜船向我們展示了旗下一系列產(chǎn)品，從閃盤到DDR2、DDR3內(nèi)存，讓我們看到一個擁有強(qiáng)大技術(shù)實力的存儲廠商。海盜船DDR3內(nèi)存??? 感謝泡泡網(wǎng)資深網(wǎng)友陳言提供現(xiàn)場照片！

??? 在本次CeBIT 2008大展上，芝奇針對各領(lǐng)域推出了多款內(nèi)存，大家都知道芝奇內(nèi)存都是以專業(yè)超頻內(nèi)存產(chǎn)品為主，品質(zhì)相當(dāng)出色。就連近期公布的專為蘋果筆記本設(shè)計的內(nèi)存條也在展會上出現(xiàn)，下面我們一起來本次展出的產(chǎn)品。??? 此次展出的蘋果筆記本內(nèi)存包括1GB、2GB單條，1GB×2套裝，1GB+2GB套裝和2GB×2套裝幾款，頻率都為667MHz，延遲5-5-5-15。??? 芝奇DDR3內(nèi)存頻

??? 近期，上海林回實業(yè)有限公司(SVETCO INC.)正式獲得OCZ科技開創(chuàng)股份有限公司在中國的代理授權(quán)。從3月初開始國內(nèi)的玩家可以購買OCZ的產(chǎn)品。??? 就在昨天，也就是3月3日OCZ品牌與上海林回實業(yè)有限公司合作，在添彩大酒店召開中國總代理新聞發(fā)布會，宣布正式進(jìn)入大陸市場，從此OCZ品牌在中國市場就有完整的渠道，銷售旗下所有產(chǎn)品。玲瑯滿目的產(chǎn)品??? OCZ不管是內(nèi)存還是在內(nèi)存散熱片的

???? 只從微軟的Vista出來以后，帶動了內(nèi)存的發(fā)展。上周微軟宣布調(diào)降新版視窗作業(yè)軟體Vista零售價，最高降幅達(dá)48%%，另外也同時推出Vista修正版SP1。業(yè)界推估，微軟降價效應(yīng)將帶動另一波PC換機(jī)潮并提高Vista的滲透率，可望大舉刺激DRAM市場需求，帶動DRAM價格止跌反彈。??? DRAM主流規(guī)格DDR2 512MB ETT現(xiàn)貨價目前約在0.9美元附近，1GB規(guī)格則在1.8美元左右

??? OCZ內(nèi)存一直是超頻愛好者夢寐以求的超頻極品。它優(yōu)異的超頻性能、較低的延遲一直是我們追求的目標(biāo)。同時配合其獨特散熱概念，受到玩家一致好評。??? 近期，上海林回實業(yè)有限公司(SVETCO INC.)正式獲得OCZ科技開創(chuàng)股份有限公司在中國的代理授權(quán)。從3月初開始國內(nèi)的玩家可以購買OCZ的產(chǎn)品。??? 林回公司獲得代理權(quán)以后，將在3月3日上海辦新聞發(fā)布會，想要了解更仔細(xì)的情況可千萬別錯過。

??? 美光科技公司今天宣布，它將向客戶和主要推廣者提供業(yè)界最快的512兆比特（Mb）的行動DRAM器件樣品，以用于功能豐富的最新行動電子設(shè)備。??? 隨著行動應(yīng)用增加了更多的計算和多媒體功能，更快，性能更好的記憶體成為優(yōu)化性能的首要選擇。而美光的512Mb移動DRAM可提供高達(dá)200MHz的最大時鐘速度，每秒能夠傳輸400Mb的資料，從而滿足當(dāng)今最先進(jìn)的行動設(shè)備的需求。?????? 除具有符合J

??? 德國infineon最近宣布，將會授權(quán)130納米制程嵌入式閃存芯片制造技術(shù)給IBM，而IBM方面預(yù)計會在未來對應(yīng)產(chǎn)品中使用該制程技術(shù)生產(chǎn)的產(chǎn)品，并提供對應(yīng)服務(wù)，此列芯片預(yù)計將會在IBM北美工廠進(jìn)行制造。??? infineon的130納米嵌入式閃存技術(shù)早在2006年就已經(jīng)在進(jìn)入量產(chǎn)階段，其主要被應(yīng)用于使用微控制器芯片的智能卡自動系統(tǒng)中。根據(jù)計劃，IBM將會在其位于北美的vermont（佛蒙

??? 大容量內(nèi)存無疑已經(jīng)成為消費者們關(guān)注的焦點，從2GB 667到2GB 800，但是這些都是對于臺式機(jī)來說的，目前市面大容量筆記本內(nèi)存還很少，但是對于筆記本來說僅有的兩根內(nèi)存插槽就顯得相當(dāng)珍貴，如果想上4GB跑Vista，就非得買兩根2GB容量的內(nèi)存不可。根據(jù)產(chǎn)品規(guī)劃，包括戴爾，惠普，以及東芝已經(jīng)確認(rèn)會在2008年Q1開始推出配置4GB顯存的最新款筆記本電腦產(chǎn)品，而根據(jù)業(yè)內(nèi)分析認(rèn)為，這一趨勢可

??? DRAM由于產(chǎn)業(yè)過剩使得價格一次次崩盤，導(dǎo)致內(nèi)存現(xiàn)貨價格低廉，使得市場極為低靡，大家都在議論DRAM產(chǎn)業(yè)只要減產(chǎn)就會有救的說法，尤其傳出三星、海力士、奇夢達(dá)與臺廠，都因難耐嚴(yán)重虧損而有減產(chǎn)打算，實際上并非如此。??? 早期DRAM崩盤是在2001年，當(dāng)時記憶體顆粒的最低價跌到0.8美元后隨即反彈，但至今顆粒價已經(jīng)跌到0.78美元以下，而且若以2001年與今年的價格作比較，雖然都是0.8美元

??? 隨著功耗逐漸被重視，處理器宣布也進(jìn)入45nm級別，使得處理器性能更強(qiáng)、功耗更低。緊接著記憶體業(yè)也有好消息傳出，Hynix宣布正式推出54nm工藝1Gb DDR2 DRAM記憶體，并得到Intel的認(rèn)證許可，這也是記憶體業(yè)內(nèi)首次進(jìn)入50nm工藝技術(shù)的級別。??? Hynix表示，54nm工藝的記憶體晶片將在明年下半年投產(chǎn)，主要應(yīng)用于生產(chǎn)DDR2和DDR3記憶體晶片，容量為1Gb、2Gb，同時

??? NEC電子歐洲分部最新發(fā)布兩項新技術(shù)，主要面向采用40納米制程技術(shù)，應(yīng)用于system on chip設(shè)備平臺的嵌入式DRAM產(chǎn)品。NEC的UX8GD eDRAM技術(shù)所支持的芯片運行頻率最高可達(dá)800MHz，并支持低功耗表現(xiàn)能力，這類芯片主要設(shè)計應(yīng)用于消費電子類產(chǎn)品，比如DV，游戲機(jī)等。XBOX處理器??? NEC UX8LD eDRAM芯片技術(shù)則采用用于降低功耗的窄邊線封裝設(shè)計，相比目前