滄海桑田話存貯 內(nèi)存/顯存發(fā)展編年史
GDDR3的頻率能達到現(xiàn)在這么高，其實并沒有什么訣竅，憑借的就是不斷改進的工藝制程，來暴力拉升頻率。資歷稍老點的玩家應該知道，GDDR3于2004年初次登臺亮相時，6600GT的顯存頻率僅為1GHz，并不比GDDR2高，5年過去了，GDDR3從1GHz一路攀升至2GHz甚至2.5GHz，生命力得到了延續(xù)。
明白了GDDR3的原理技術后，再來看看實物。GDDR3和GDDR1類似，也有兩種封裝形式：
● 144Ball MBGA封裝，為了向下兼容GDDR和GDDR2
最初的GDDR3采用了144Ball MBGA封裝，這與GDDR和GDDR2第一版完全相同，外觀也是正方形，三者的電氣性能相似，支持GDDR3的GPU也可使用GDDR顯存，PCB和電路只需做少量調(diào)整。
三星2.0ns 8M×32Bit GDDR3顆粒
144Ball封裝的GDDR3只有8M×32Bit一種規(guī)格，所以8顆顯存組成256MB 256Bit、或者4顆顯存組成128MB 128Bit是當時的主流。5700Ultra就首次使用了GDDR3取代了GDDR2。
144Ball封裝的GDDR3主要有2.0ns(1000MHz)和1.6ns(1250MHz)兩種速度，1.4ns良率不高產(chǎn)量很小，最高頻率止步于1400MHz。曾被7800GTX/GT、6800GS、6600GT、X850/X800/X700等顯卡大量采用。由于144Ball封裝及PCB電路限制了其頻率的提升，很快GDDR3就改用了電氣性能更好的136Ball FBGA封裝。
● 136Ball FBGA封裝，頻率容量節(jié)節(jié)攀升
為了提高電氣性能和環(huán)保水平，從2005年開始，GDDR3開始采用全新的136Ball FBGA封裝，并統(tǒng)一使用無鉛封裝工藝。新封裝使得顯卡PCB必須重新設計，但也為GDDR3的騰飛鋪平了道路。
三星0.8ns GDDR3顯存 16M×32Bit規(guī)格
136Ball封裝GDDR3的優(yōu)勢如下：
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規(guī)格不再局限于8M×32Bit一種，16M×32Bit成為主流，目前32M×32Bit已大量采用；
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伴隨著制造工藝的進步，額定電壓從2.0V進一步降至1.8V，但一些高頻顆?？蛇m當加壓；
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速度從1.4ns起跳，經(jīng)過1.2ns、1.1ns、1.0ns一路發(fā)展至0.8ns、0.7ns，最快速度可突破2500MHz，但這是以犧牲延遲為代價的，好在GPU對延遲不太敏感；
當GDDR3的頻率首次達到2000MHz時，很多人都認為離極限不遠了，于是未雨綢繆的抓緊制定GDDR4規(guī)范，但沒想到在DRAM廠商的努力及新工藝的支持下，GDDR3的生命得到了延續(xù)，0.8ns 0.7ns的型號相繼量產(chǎn)，而且容量更大的32M×32Bit顆粒也成為主流，基本上能夠滿足高中低端所有顯卡的需要。
當前速度最快0.77ns GDDR3顯存顆粒，理論頻率可達2600MHz
當年2.2ns GDDR最高可達900MHz，核心頻率和I/O頻率止步于450MHz。經(jīng)過5年時間的發(fā)展，GDDR3憑借新工藝終于在核心頻率和I/O頻率方面取得突破，核心頻率可達600MHz以上，I/O頻率超過1200MHz，此時過高的I/O頻率成為了新的瓶頸。
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