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滄海桑田話存貯 內(nèi)存/顯存發(fā)展編年史

    通常大家所說的DDR-400、DDR2-800、DDR3-1600等，其實(shí)并非是內(nèi)存的真正頻率，而是業(yè)界約定俗成的等效頻率，這些DDR1/2/3內(nèi)存相當(dāng)于老牌SDR內(nèi)存運(yùn)行在400MHz、800MHz、1600MHz時(shí)的帶寬，因此頻率看上去很夸張，其實(shí)真正的內(nèi)核頻率都只有200MHz而已！

    內(nèi)存有三種不同的頻率指標(biāo)，它們分別是核心頻率、時(shí)鐘頻率和有效數(shù)據(jù)傳輸頻率。核心頻率即為內(nèi)存Cell陣列(Memory Cell Array，即內(nèi)部電容)的刷新頻率，它是內(nèi)存的真實(shí)運(yùn)行頻率；時(shí)鐘頻率即I/O Buffer（輸入/輸出緩沖）的傳輸頻率；而有效數(shù)據(jù)傳輸頻率就是指數(shù)據(jù)傳送的頻率（即等效頻率）。

● SDR和DDR1/2/3全系列頻率對(duì)照表：

常見DDR內(nèi)存頻率對(duì)照表

    通過上表就能非常直觀的看出，近年來內(nèi)存的頻率雖然在成倍增長，可實(shí)際上真正存儲(chǔ)單元的頻率一直在133MHz-200MHz之間徘徊，這是因?yàn)殡娙莸乃⑿骂l率受制于制造工藝而很難取得突破。而每一代DDR的推出，都能夠以較低的存儲(chǔ)單元頻率，實(shí)現(xiàn)更大的帶寬，并且為將來頻率和帶寬的提升留下了一定的空間。

● SDR和DDR1/2/3存儲(chǔ)原理示意圖：

    雖然存儲(chǔ)單元的頻率一直都沒變，但內(nèi)存顆粒的I/O頻率卻一直在增長，再加上DDR是雙倍數(shù)據(jù)傳輸，因此內(nèi)存的數(shù)據(jù)傳輸率可以達(dá)到核心頻率的8倍之多！通過下面的示意圖就能略知一二：

    那么，內(nèi)存IO頻率為什么能達(dá)到數(shù)倍于核心頻率呢？