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滄海桑田話存貯 內(nèi)存/顯存發(fā)展編年史

  自Intel Celeron系列以及AMD K6處理器以及相關(guān)的主板芯片組推出后,EDO DRAM內(nèi)存性能再也無法滿足需要了,內(nèi)存技術(shù)必須徹底得到個革新才能滿足新一代CPU架構(gòu)的需求,SDRAM應(yīng)用而生,至此終于進(jìn)入內(nèi)存的近代史。

   第一代SDRAM內(nèi)存為PC66規(guī)范,但很快由于Intel和AMD的頻率之爭將CPU外頻提升到了100MHz,所以PC66內(nèi)存很快就被PC100內(nèi)存取代,接著133MHz 外頻的PIII以及K7時代的來臨,PC133規(guī)范也以相同的方式進(jìn)一步提升SDRAM 的整體性能,帶寬提高到1GB/sec以上。由于SDRAM 的帶寬為64bit,正好對應(yīng)CPU 的64bit 數(shù)據(jù)總線寬度,因此它只需要一條內(nèi)存便可工作,便捷性進(jìn)一步提高。在性能方面,由于其輸入輸出信號保持與系統(tǒng)外頻同步,因此速度明顯超越EDO 內(nèi)存。

內(nèi)存/顯存發(fā)展史記

66MHz SDRAM

內(nèi)存/顯存發(fā)展史記

133MHz SDRAM

   不可否認(rèn)的是,SDRAM 內(nèi)存由早期的66MHz,發(fā)展后來的100MHz、133MHz,盡管沒能徹底解決內(nèi)存帶寬的瓶頸問題,但此時CPU超頻已經(jīng)成為DIY用戶永恒的話題,所以不少用戶將品牌好的PC100品牌內(nèi)存超頻到133MHz使用以獲得CPU超頻成功,值得一提的是,為了方便一些超頻用戶需求,市場上出現(xiàn)了一些PC150、PC166規(guī)范的內(nèi)存。

   盡管SDRAM PC133內(nèi)存的帶寬可提高帶寬到1064MB/S,加上Intel已經(jīng)開始著手最新的Pentium 4計劃,所以SDRAM PC133內(nèi)存不能滿足日后的發(fā)展需求,此時,Intel為了達(dá)到獨占市場的目的,與Rambus聯(lián)合在PC市場推廣Rambus DRAM內(nèi)存(稱為RDRAM內(nèi)存)。與SDRAM不同的是,其采用了新一代高速簡單內(nèi)存架構(gòu),基于一種類RISC(Reduced Instruction Set Computing,精簡指令集計算機)理論,這個理論可以減少數(shù)據(jù)的復(fù)雜性,使得整個系統(tǒng)性能得到提高。   在AMD與Intel的競爭中,這個時候是屬于頻率競備時代,所以這個時候CPU的主頻在不斷提升,Intel為了蓋過AMD,推出高頻PentiumⅢ以及Pentium 4 處理器,因此Rambus DRAM內(nèi)存是被Intel看著是未來自己的競爭殺手锏,Rambus DRAM內(nèi)存以高時鐘頻率來簡化每個時鐘周期的數(shù)據(jù)量,因此內(nèi)存帶寬相當(dāng)出色,如PC 1066 1066 MHz 32 bits帶寬可達(dá)到4.2G Byte/sec,Rambus DRAM曾一度被認(rèn)為是Pentium 4 的絕配。

內(nèi)存/顯存發(fā)展史記

內(nèi)存/顯存發(fā)展史記

Rambus RDRAM

   但歷史的軌跡并沒有按照Intel的規(guī)劃前進(jìn),在當(dāng)時,PC600、PC700的Rambus RDRAM 內(nèi)存出現(xiàn)Intel820 芯片組“失誤事件”,而PC800 Rambus RDRAM受制造工藝所累,成本居高不下不說,第一款Rambus內(nèi)存甚至需要自帶散熱風(fēng)扇……。禍不單行,Pentium 4平臺自身高昂的價格并沒有帶來性能的飆升,卻讓功耗發(fā)熱齊飛。Intel自顧不暇,命遠(yuǎn)多舛的Rambus RDRAM終于胎死腹中,Rambus曾希望用更高頻率的PC1066規(guī)范RDRAM來力挽狂瀾,但最終還是被蒸蒸日上的DDR終結(jié),壯志未酬身先死,只怪生不逢時。

    他的隕落標(biāo)志著DDR王朝的來臨,也標(biāo)志著內(nèi)存拉開了現(xiàn)代史的序幕。

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