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十一采購秘籍！三大品牌內(nèi)存編號揭秘

    三星DDR內(nèi)存顆粒的編號共分為四段數(shù)字或字母，19個部分組成。請看下面的三星內(nèi)存編號示意圖，圖中有A、B、CDE和F為四段數(shù)字或字母，而19部分則是指包含在A、B、CDE和F四段數(shù)字或字母組成的編號，主要對內(nèi)存規(guī)格進(jìn)行說明。下面，就給大家分別解釋。

    首先來解釋一下四段號碼的大概含義。

    A部分我想不用解釋了吧，標(biāo)明的是生產(chǎn)企業(yè)的名稱——SAMSUNG。

    B部分說明的是該內(nèi)存模組的生產(chǎn)日期，以三個阿拉伯?dāng)?shù)字的形式表現(xiàn)。其中第一個阿拉伯?dāng)?shù)字表明，生產(chǎn)的年份，后面兩位數(shù)字表明是在該年的第XX周生產(chǎn)的。例如，上圖中的446就該表示該模組是在04年的第46周生產(chǎn)的。如果三位數(shù)字是532，則表明該內(nèi)存模組是05年第32周生產(chǎn)的。

    C部分說明的是該內(nèi)存的封裝類型，由一個英文字母表示。該部分將分別以T、U、N、V、G、Z幾個字母來代表不同的封裝類型。其中T代表是TSOP2封裝，U表示TOSP2（Lead-Free）封裝，N表示sTSOP2封裝，V表示sTOSP2（Lead-Free）封裝，G表示FBGA封裝，Z表示FBGA（Lead-Free）封裝。

    D部分說明是該內(nèi)存模組的工作溫度與功耗，由一個英文字母表示。該部分將以C和L兩個字母來表示該內(nèi)存顆粒的不同工作溫度與功耗。其中C表示該內(nèi)存模組為大眾商用型內(nèi)存，普通功耗，工作溫度在0 °C~70 °C之間；L表示該內(nèi)存模組也屬于大眾商業(yè)型，但卻是低功耗，工作溫度也在0 °C~70 °C之間。這部分標(biāo)注為L的模組，在筆記本內(nèi)存中比較常見。

    E部分說明的是該內(nèi)存模組的頻率和各項延遲（即CL-tRCD-tRP），由兩個英文字母或數(shù)字組成。該部分分別以A0、B0、A2、B3和CC這五個字母/數(shù)字組合來代表不同頻率和延遲的DDR內(nèi)存模組。其中，A0代表該模組的工作做頻率為DDR-200（100MHz），延遲為2-2-2；B0代表DDR 266（133MHz），延遲為2.5-3-3；A2代表DDRDDR 266（133MHz），延遲為2-3-3；B3代表DDR333（166MHz），延遲為2.5-3-3；CC代表DDR400（200MHz），延遲為3-3-3。

    F部分實際上是由8個小部分組成的，分別表示該內(nèi)存模組的類型、容量、位寬、接口類型、工作電壓等等內(nèi)容。詳細(xì)分解請看下一頁。