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十一采購秘籍！三大品牌內存編號揭秘

    D部分內容由8個小部分組成，所傳達的信息和前面的三星、現(xiàn)代基本一致，包括容量、位寬、工作電壓等等信息。下面就根據(jù)下表來逐一說明各部分的含義。

1	2	3	4	5	6	7	8
HYB	XX	X	XXX	XX	X	X	X

    第1部分的“HYB”是所有英飛凌內存都會有的，因為這三個字母代表該內存顆粒是由英飛凌制造。

1	2	3	4	5	6	7	8
HYB	XX	X	XXX	XX	X	X	X

    第2部分代表工作電壓，由兩位數(shù)字組成。“39”代表3.3V，“25”代表5V，“18”代表1.8V。

1	2	3	4	5	6	7	8
HYB	XX	X	XXX	XX	X	X	X

    第3部分代表內存類型，由1位字母組成。“S”代表該內存為SDRAM，“D”代表該內存為DDR，“T”則代表DDR2。

1	2	3	4	5	6	7	8
HYB	XX	X	XXX	XX	X	X	X

    第4部分代表容量，由3位數(shù)字組成。分別由“128”、“256”、“512”、“1G”代表128MB、256MB、512MB、1GB容量。

1	2	3	4	5	6	7	8
HYB	XX	X	XXX	XX	X	X	X

    第5部分代表單顆顆粒的位寬，由兩個數(shù)字組成。“40”代表4bit，“80”代表8bit，“16”代表16bit。

1	2	3	4	5	6	7	8
HYB	XX	X	XXX	XX	X	X	X

    第6部分代表產品登記，“0”表示標準產品。

1	2	3	4	5	6	7	8
HYB	XX	X	XXX	XX	X	X	X

    第7部分代表產品版本號，由1個字母組成。和現(xiàn)代和三星一樣，字母在字母表中順序越靠后，說明內存的版本越新。

1	2	3	4	5	6	7	8
HYB	XX	X	XXX	XX	X	X	X

    第8部分代表封裝類型，由1個字母組成。“C”表示FBGA（含鉛）封裝；“T”表示TSOP 400mil（含鉛）封裝；E表示TOSP 400 mil（無鉛無鹵）封裝；G表示堆疊TSOP（無鉛無鹵）封裝。

1	2	3	4	5	6	7	8
HYB	XX	X	XXX	XX	X	X	X