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十一采購秘籍！三大品牌內(nèi)存編號揭秘

    現(xiàn)代內(nèi)存顆粒的編號也是由四段字母或數(shù)字組成，具體分布請看下圖。A、B四部分的含義與三星內(nèi)存顆粒編號的含義相同，分別表示該內(nèi)存顆粒的生產(chǎn)企業(yè)及生產(chǎn)日期。C、D部分所包含的內(nèi)容主要是指內(nèi)存的相關(guān)規(guī)格。接下來我們就詳細(xì)分解。

    A部分不用多說，鐵定都是Hynix的LOGO。

    B部分是生產(chǎn)日期，由三個數(shù)字和一個字母組成，和三星內(nèi)存顆粒的編號一樣，第一個數(shù)字表示生產(chǎn)年份，后兩位數(shù)字表示在該年的第XX周生產(chǎn)。最后的字母，由于在官方文件中沒有解釋，筆者也未弄明白。

    C部分也是表示該內(nèi)存顆粒的頻率、延遲參數(shù)。由1-3位字母和數(shù)字共同組成。根據(jù)頻率、延遲參數(shù)不同，分別用“D5、D43、D4、J、M、K、H、L”8個字母/數(shù)字組合來表示。

    其中：
    “D5”代表DDR500（250MHz），延遲為3-4-4；
    “D43”代表DDR433（216MHz），延遲為3-3-3；
    “D4”代表DDR400（200MHz），延遲為3-4-4；
    “J”代表DDR333（166MHz），延遲為2.5-3-3；
    “M”代表DDR266（133MHz），延遲為2-2-2；
    “K”代表DDR266A（133MHz），延遲為2-3-3；
    “H”代表DDR266B（133MHz），延遲為2.5-3-3；
    “L”代表DDR200（100MHz），延遲為2-2-2。 

補(bǔ)充：緊接這C部分的數(shù)字后面，實(shí)際上還有一個編號，只是這個編號一般并沒有被標(biāo)示出來。他用來表示內(nèi)存顆粒的工作溫度和應(yīng)用等級。用“Bank、I、E”來表示不同的工作溫度和應(yīng)用等級，其中：

    “Blank”代表商業(yè)型，工作溫度在0 °C~70 °C之間；
    “E”代表增強(qiáng)型，工作溫度在-25°C~85 °C之間；
    “I”代表工業(yè)型，工作溫度在-40°C~85 °C之間。

    D部分與三星內(nèi)存顆粒的編號的F部分一樣代表著較多的內(nèi)容，詳細(xì)拆解請看下一頁。