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十一采購秘籍！三大品牌內(nèi)存編號揭秘

應(yīng)該說F部分是三星內(nèi)存編號中傳達(dá)內(nèi)容最多的。由8個小部分構(gòu)成，下面就來詳細(xì)分解一下這8個小部分所代表的內(nèi)容。

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K	4	X	XX	XX	X	X	X

 圖一

    為了方便大家更好的理解編號中的含義，大家可以將表中標(biāo)明的1-8個部分根據(jù)圖中的內(nèi)存編號對號入座。

    第1部分用“K”表示的是內(nèi)存，只要是三星內(nèi)存，這部分永遠(yuǎn)都是“K”。

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    第2部分表示內(nèi)存的類別，由一個數(shù)字或者字母組成。“4”表示的是DRAM；

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    第3部分表示的是內(nèi)存的子類別，由字母“T”或“H”組成。“T”代表的是DDR2內(nèi)存，“H”代表的是DDR內(nèi)存。

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    第4部分表示的是內(nèi)存的容量，由兩個數(shù)字或者字母組成。根據(jù)容量的不同，該部分會出現(xiàn)“28”、“51”、“1G、“2G”、“4G”這5個組合，其中“28”代表128MB，“51”代表512MB，“1G”代表1GB，“2G”代表2GB，“4G”代表4GB。

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    第5部分表示的是內(nèi)存顆粒的位寬，由兩連個數(shù)字組成。根據(jù)顆粒位寬不同，該部分會出現(xiàn)“04”、“08”和“16”三個組合。其中“4”表示是該顆粒只有4bit位寬，“08”表示該顆粒有8bit位寬，“16”則表示有16bit位寬。

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    第6部分代表的是邏輯bank數(shù)，由一個數(shù)字組成。3表示4 bank，4表示8 bank。

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    第7部分代表的是接口類型與工作電壓，由一個數(shù)字或字母組成。“8”表示接口類型為SSTL_2，工作電壓為2.5V；“Q”表示接口類型為SSTL，工作電壓為1.8V。

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    第8部分代表產(chǎn)品的版本，由一個字母組成，并且，該處的字母在字母表中的位置越靠后，說明該內(nèi)存顆粒的版本越新。到目前為止，三星內(nèi)存顆粒一共有9個版本，分別以“M、A、B、C、D、E、F、G、H”9個字母表示，其中M代表第1版產(chǎn)品，而A-H則依次代表第2-9版。

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    根據(jù)以上我們對三星內(nèi)存編號的了解，我們就能夠知道圖一中的內(nèi)存顆粒的相關(guān)信息：256MB容量，8bit位寬，4bank，SSTL_2接口，2.5V工作電壓，第六版，生產(chǎn)與05年第16周，TOSP2封裝，大眾商用型，普通功耗，工作溫度在0 °C~70 °C之間，工作頻率為200MHz（DDR400），延遲為3-3-3。