2009年度芯片級橫評！24款顯卡大決戰(zhàn)
★ 09-10年顯卡發(fā)展趨勢：GDDR5/DDR3取代GDDR3
2009年的顯卡業(yè)，除了GPU工藝進(jìn)步、圖形API改朝換代外，顯存也開始進(jìn)入新老更替階段，GDDR5已經(jīng)成為高端必備，gDDR3逐漸取代GDDR3和GDDR2成為中低端主流，老邁的GDDR3終于走到了生命的盡頭。
● 更高頻更節(jié)能的第四代GDDR5顯存：
GDDR5顯存的主要特性：
1.使用DDR3的8bit預(yù)取技術(shù)，實現(xiàn)相同帶寬所需的內(nèi)核頻率減半；
2.采用雙I/O總線，實現(xiàn)相同帶寬所需的I/O頻率減半；
3.額定電壓從1.8V降至1.5V：功耗進(jìn)一步下降；
4.數(shù)據(jù)和地址總線轉(zhuǎn)位技術(shù)：信號質(zhì)量高、功率消耗少；
5.智能的可編程I/O控制接口：簡化PCB設(shè)計和成本；
6.數(shù)據(jù)遮蓋技術(shù)：減輕數(shù)據(jù)總線壓力；
7.錯誤偵測和校驗：提高高頻率下的傳輸效率，避免災(zāi)難性錯誤；
8.顯存頻率和溫度補(bǔ)償：在5GHz以上高頻率下工作時更穩(wěn)定可靠；
9.電壓和頻率快速切換：允許通過降頻和降壓的手段大幅降低顯存功耗與發(fā)熱。
關(guān)于GDDR5顯存更詳細(xì)的技術(shù)解析請看“剪不斷理還亂!DDR1-3和GDDR1-5全解析”一文。
2D模式下顯存頻率從1200MHz降至300MHz，5870待機(jī)僅27W超省電
GDDR5顯存并不是只有一種，從首款使用GDDR5的顯卡HD4870開始（不支持節(jié)能），ATI在另外兩款顯卡上面進(jìn)行了嘗試（HD4890和HD4770功耗得到了一定程度的控制），不斷改進(jìn)并優(yōu)化規(guī)格，在第四款顯卡上面才真正做到了完美，所以AMD把HD5000上面顯存稱為第四代GDDR5。
目前NVIDIA也在GT240上面使用了GDDR5顯存，但其頻率只達(dá)到了HD4870的水平，而且不支持降頻節(jié)能。據(jù)AIC方面稱，由于NVIDIA初次使用GDDR5顯存，對于其特性未能吃透，因此超頻和降頻幅度都不敢太大，PCB優(yōu)化設(shè)計是一大難題。Fermi屢次延期說不定與384Bit GDDR5也有一定的關(guān)系。
● 大容量低價格的gDDR3顯存：
gDDR3顯存的主要特性：
1.使用DDR3的8bit預(yù)取技術(shù)，實現(xiàn)相同帶寬所需的內(nèi)核頻率是GDDR3的一半；
2.額定電壓從1.8V降至1.5V：功耗進(jìn)一步下降；
3.單顆僅16bit，和gDDR2相同，是GDDR3的一半，所以顯卡達(dá)到相同位寬需要更多顆粒；
4.總?cè)萘勘菺DDR3高一倍。
中低端顯卡不會片面追求性能，成本才是第一位的。以目前的情況來看，DDR3比gDDR2頻率高很多，接近于GDDR3而成本比GDDR3還要低，所以gDDR2被取代也是板上釘釘?shù)氖?。AMD率先將DDR3使用在了顯卡上，隨后得到了業(yè)界的一致認(rèn)可。
gDDR3源于DDR3內(nèi)存，技術(shù)特性上沒有區(qū)別，主要在封裝上面。gDDR3作為對顯卡優(yōu)化的版本，單顆16bit FBGA 96Ball封裝；而DDR3多為單顆4/8bit，封裝是78/82Ball。
可以看出，在高端GDDR5將會取代GDDR3，而低端gDDR3將會取代gDDR2，中端則會出現(xiàn)三代共存的局面。雖然gDDR3單顆位寬只有GDDR3的一半，但存儲密度卻是GDDR3的兩倍，而且在相同頻率下(比如2000MHz)，gDDR3的核心頻率是GDDR3的一半，因此功耗發(fā)熱要低很多。對于位寬不高的中低端顯卡來說，gDDR3大容量、低成本、低功耗發(fā)熱的特性簡直相當(dāng)完美！
目前HD4670/4650、GT240、GT220、GT210等很多顯卡都有g(shù)DDR3顯存的版本，這些顯卡的顯存容量大都是1GB，而成本比512MB GDDR3要低，性價比還是很突出的。未來中低端顯卡上面GDDR3和gDDR2都將被gDDR3取代，GDDR5主攻高端gDDR3主攻低端的格局已經(jīng)逐漸明朗。
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