次世代精品旗艦 魅族PRO 5深度評(píng)測(cè)
TSMC之原罪
臺(tái)積電的原罪讓我怨念很久，當(dāng)然這個(gè)怨念并不是因?yàn)槭謾C(jī)性能的躊躇不前，而是怪罪臺(tái)積電的工藝拖累桌面GPU的發(fā)展，讓Pascal和Greenland遲遲不能兌現(xiàn)。而手機(jī)處理器的抱怨僅僅只是這個(gè)怨念附帶的遷怒。
按照臺(tái)積電的PPT，2013年年初就應(yīng)該量產(chǎn)20nm,年底就應(yīng)該進(jìn)入16nm FinFET階段，但實(shí)際情況，20nm量產(chǎn)直到2014年年底iPhone 6的A8才開(kāi)始兌現(xiàn)，而16nm FinFET依然遙遙無(wú)期。實(shí)際情況遠(yuǎn)遠(yuǎn)趕不上PPT上的計(jì)劃。
我們來(lái)回歸下三星和高通/臺(tái)積電處理器工藝的發(fā)展脈絡(luò)，上圖以量產(chǎn)機(jī)型發(fā)布為節(jié)點(diǎn)進(jìn)行統(tǒng)計(jì)(而不是單純的Paper Launch)，如果將雙方的工藝升級(jí)比作一場(chǎng)賽車(chē)比賽，臺(tái)積電在出一個(gè)彎道后，勉強(qiáng)只能看見(jiàn)三星的尾燈，很快三星就進(jìn)入下一個(gè)彎道，臺(tái)積電基本每個(gè)工藝節(jié)點(diǎn)都落后三星半年以上。
臺(tái)積電即使是同代工藝雖然級(jí)別要晚上半年，但其性能表現(xiàn)也依然不如三星，其電路門(mén)間距也明顯大于三星，功耗，頻率和漏電率方面也存在差距。而這個(gè)差距在去年以后更為明顯。Apple iPhone 6的A8使用臺(tái)積電20nm工藝發(fā)現(xiàn)是個(gè)大坑，才會(huì)將iPhone 6s的部分芯片產(chǎn)能重新調(diào)回三星，這也是迫不得已，盡管這與Apple內(nèi)部的去三星化策略背道而馳，選擇三星代工A9政治上不正確也沒(méi)辦法，誰(shuí)叫臺(tái)積電太不爭(zhēng)氣。
iPhone 6s和iPhone 6s Plus的芯片代工占比，看來(lái)現(xiàn)在買(mǎi)6s也要拼人品，買(mǎi)的三星的更幸運(yùn)，功耗更低，發(fā)熱更少，續(xù)航更長(zhǎng)。
拋棄臺(tái)積電的不僅僅是Apple，甚至還有多年的老主戶(hù)高通，高通不僅將低端的驍龍410從臺(tái)積電的28nm LP遷向中芯，甚至一貫堅(jiān)持臺(tái)積電的高端都存在巨大變數(shù)。高通之前的驍龍820的文檔說(shuō)明是14/16nm工藝，而在最近的官網(wǎng)和微博上僅僅說(shuō)明驍龍820是采用14nm。雖然高通并未明說(shuō)驍龍820由誰(shuí)代工，但這個(gè)14nm的表述已經(jīng)不言自明，高通也拋棄臺(tái)積電轉(zhuǎn)向三星了。吃一塹長(zhǎng)一智，這是必然的選擇。
三星的實(shí)際量產(chǎn)進(jìn)度和之前的PPT一樣按部就班
不過(guò)幸運(yùn)的是三星的14nm FinFET工藝進(jìn)度并不像臺(tái)積電的PPT和實(shí)際進(jìn)度那樣脫節(jié)，在2015年年初采用14nm的Exynos 7420就順利量產(chǎn)了。
并且量產(chǎn)的性能復(fù)合預(yù)期，3D FinFet 14nm工藝使得其相比自家的20nm功耗下降35%，性能提升20%。三星的20nm工藝性能要好于臺(tái)積電的20nm，因此Exynos 7420相對(duì)驍龍810的性能和功耗優(yōu)勢(shì)還要大于這個(gè)數(shù)字。
對(duì)于A(yíng)57+大規(guī)模GPU這樣的旗艦級(jí)別SoC，先進(jìn)的14/16nm工藝必不可少,20nm的落后工藝根本不能支撐其這樣規(guī)模，即使勉強(qiáng)做出，性能穩(wěn)定性和功耗也無(wú)法接受。驍龍810用20nm硬上A57是不可為而為之，而Exynos 7420用14nm就是輕松任意。但現(xiàn)在采用先進(jìn)的14/16nm手機(jī)僅僅只有三個(gè)系列，一個(gè)是三星嫡系的Galaxy S6/Edge/Note 5/Edge +，一個(gè)是眾望所歸的Apple iPhone 6s/Plus，再就是我們本次評(píng)測(cè)的魅族的PRO 5。在MX4 Pro評(píng)測(cè)，我就以工藝的勝利寫(xiě)過(guò)一個(gè)章節(jié)，MX4 Pro是首個(gè)在國(guó)內(nèi)上市的20nm手機(jī)，而PRO 5又在國(guó)產(chǎn)手機(jī)之中率先使用非常先進(jìn)的14nm工藝處理器芯片。
次世代的UFS存儲(chǔ)系統(tǒng)
三星Galaxy S6/Edge性能吊打其他手機(jī)的除了CPU和GPU性能，還有一點(diǎn)性能提升卻很容易被忽略，就是其率先使全新一代的UFS儲(chǔ)存架構(gòu)。UFS是JEDEC確定的新一代數(shù)碼儲(chǔ)存標(biāo)準(zhǔn)，其相比之前的EMMC，接口的理論性能大概是其三倍，其采用的是類(lèi)似SCSI的儲(chǔ)存架構(gòu)，可以達(dá)到SATA 級(jí)別的350MBPS的速率。
PRO 5會(huì)采用UFS 2.0，這在筆者之前MX5評(píng)測(cè)之中就有預(yù)見(jiàn)，現(xiàn)在也成為現(xiàn)實(shí)。我們使用Androbench 4.1讀寫(xiě)進(jìn)行測(cè)試，4.1相比我們之前使用的3.6增加了操作隊(duì)列并發(fā)數(shù)，雖然這樣的測(cè)試相比實(shí)際情況性能更高，但也能夠更為充分的展現(xiàn)機(jī)械性能。
魅族PRO5的順序讀寫(xiě)速度可以達(dá)到328/142，相比同為UFS 2.0的S6 Edge+稍低，但相比其他的EMMC性能完全是碾壓。并且這樣的優(yōu)勢(shì)，不僅僅是在持續(xù)傳輸速度方面，還在其他更多方面有更大的差距。
此外UFS還支持命令隊(duì)列特性，系統(tǒng)可以將讀寫(xiě)指令發(fā)送給UFS控制器執(zhí)行，可以實(shí)現(xiàn)全雙工傳輸，這樣可以降低讀寫(xiě)設(shè)備對(duì)于系統(tǒng)性能的影響。UFS命令隊(duì)列提升的不僅僅是連續(xù)傳輸性能，還提升了IOPS(每秒輸入輸出操作數(shù))性能。魅族PRO 5 UFS的IOPS性能都在20000以上，要知道這個(gè)IOPS不僅遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于一般上世代旗艦手機(jī)4000-6000IOPS性能，甚至都可以接近如三星650這樣的一些入門(mén)級(jí)SSD，雖然還不能同intel 750，三星SM951這樣的高端SSD匹敵，但也使得手機(jī)第一次有了臺(tái)式機(jī)級(jí)別的儲(chǔ)存性能。IOPS性能的提升，使得系統(tǒng)在處理零碎數(shù)據(jù)時(shí)候響應(yīng)速度更快，其相比連續(xù)數(shù)據(jù)傳輸性能，能夠更為明顯的改善手機(jī)如如網(wǎng)絡(luò)瀏覽，搜索，App啟動(dòng)這樣日常應(yīng)用的響應(yīng)速度，大幅提升用戶(hù)體驗(yàn)。UFS除了性能更好，同時(shí)功耗也更低，這些特點(diǎn)使得其更為合適于手機(jī)這樣的設(shè)備。
PRO 5 UFS 2.0儲(chǔ)存性能在A(yíng)ndroid手機(jī)里已經(jīng)無(wú)敵，但iPhone 6s的存儲(chǔ)系統(tǒng)卻更為激進(jìn)，直接上了NVME。NVME在理論上操作延遲、IOPS方面相比UFS更為先進(jìn)，但對(duì)于手機(jī)而言，這些特性現(xiàn)在并不能展現(xiàn)出來(lái)，iPhone 6s的NAND存儲(chǔ)性能也就基本和PRO 5在一個(gè)層級(jí)，并不像EMMC和UFS那樣存在本質(zhì)差別。
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