誰(shuí)能滿(mǎn)足i7胃口？三通道DDR3內(nèi)存橫評(píng)
第二章/第三節(jié) 內(nèi)存參數(shù)對(duì)i7性能的貢獻(xiàn)
前文中筆者已經(jīng)強(qiáng)調(diào)過(guò)DDR3的絕對(duì)延遲要比DDR2低一些，但相信很多朋友還是對(duì)DDR3較高的內(nèi)存延遲(9-9-9)耿耿于懷，不過(guò)沒(méi)關(guān)系，現(xiàn)在已經(jīng)有很多廠(chǎng)商推出了低延遲的三通道套裝(7-7-7)，但價(jià)格就要比普通內(nèi)存高很多了，那么低延遲能讓內(nèi)存性能及整機(jī)性能提升多少呢？這種優(yōu)質(zhì)內(nèi)存條是否值得購(gòu)買(mǎi)呢？
測(cè)試方法：將i7 920超至200*20=4GHz，內(nèi)存按1:4分頻工作在1600MHz，然后分別將內(nèi)存參數(shù)設(shè)定為7-7-7-20-1T、8-8-8-22-1T和9-9-9-24-1T三種模式，對(duì)比性能差異。
雖然內(nèi)存頻率都是1600MHz，內(nèi)存控制器頻率都是3200MHz，但調(diào)低內(nèi)存延遲的話(huà)，對(duì)于內(nèi)存帶寬還是有一點(diǎn)點(diǎn)提高的。
降低內(nèi)存參數(shù)之后，就能立桿見(jiàn)影的反映在實(shí)測(cè)延遲數(shù)據(jù)上面，不過(guò)低參數(shù)的效果顯然沒(méi)有高頻率來(lái)的顯著。畢竟很多內(nèi)存的低參數(shù)與高頻率是不可兼得的，此時(shí)還是放棄低參數(shù)選擇高頻率性能更好些。
實(shí)際應(yīng)用測(cè)試方面，低參數(shù)所帶來(lái)的性能提升顯然不如高頻率，因此追求高頻率的大方向是正確的，但如果由于CPU的限制內(nèi)存不能超太高的話(huà)，此時(shí)追求低延遲還是能帶來(lái)一定的性能提升。
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