誰能滿足i7胃口？三通道DDR3內(nèi)存橫評
第一章/第六節(jié) 廠商針對i7設(shè)計的低電壓三通道DDR3套裝
i7作為Intel第一代整合內(nèi)存控制器的處理器，尤其是一次性整合三通道DDR3內(nèi)存控制器，其實還并不完善，甚至可以說有些小BUG，比如插滿六條穩(wěn)定性下降、丟失內(nèi)存通道、頻率無法上更高等。這還是次要的，最關(guān)鍵的是它的整合內(nèi)存控制器與內(nèi)存電壓有一定的關(guān)聯(lián)性，i7搭配高電壓的內(nèi)存可能會導(dǎo)致CPU燒毀！
雖然JEDEC組織制定的DDR3默認(rèn)電壓為1.5V，但在i7面世之前，很多DDR3內(nèi)存的默認(rèn)電壓都高達(dá)1.8V，2V以上的超頻內(nèi)存也比比皆是，早期的DDR3只有加高壓才能工作在高頻率下，否則就只能降頻到1066使用。
由于i7整合內(nèi)存控制器的原因，處理器內(nèi)存通訊模塊與內(nèi)存供電電壓是同步的，由于45nm精密工藝承受不了高電壓，一旦超過1.65V，可能會對處理器造成永久性損傷，因此幾乎所有的X58主板在內(nèi)存插槽處、BIOS內(nèi)存電壓選項都會有注釋或者警告信息，不建議用戶將內(nèi)存電壓加至1.65V以上，否則后果自負(fù)！
如此一來，i7+X58平臺幾乎對早期的高壓DDR3內(nèi)存直接宣判了死刑，以往風(fēng)光無限的高壓高頻DDR3內(nèi)存條，默認(rèn)頻率動不動1800甚至2000，而在i7平臺就連1333可能都不穩(wěn)，于是業(yè)界呼喚新的內(nèi)存——低壓高頻。
1.65V已經(jīng)成為i7專用內(nèi)存的上限
好在近年來內(nèi)存工藝取得了明顯進(jìn)步，5Xnm工藝的投產(chǎn)讓內(nèi)存可以在較低電壓下達(dá)到較高頻率，于是專為i7設(shè)計的新一代DDR3內(nèi)存全面上市了，默認(rèn)電壓大都為JEDEC規(guī)定的1.5V，最高也不超過1.65V，誰也不敢越雷池一步，廣大用戶購買和使用也方便了很多。
華麗的三通道包裝
而且，很多廠商都推出了三通道套裝，三條1GB構(gòu)成3GB套裝，三條2GB構(gòu)成6GB套裝，這些套裝針對i7及X58的特性進(jìn)行了嚴(yán)格測試，在穩(wěn)定性和超頻方面會比散裝內(nèi)存有更好的表現(xiàn)，當(dāng)然價格也水漲船高。
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