誰(shuí)能滿足i7胃口？三通道DDR3內(nèi)存橫評(píng)
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● KingMax 2GB DDR3-1600介紹：
這條DDR3-1600并非是給i7優(yōu)化設(shè)計(jì)的，而是針對(duì)早期775平臺(tái)，所以默認(rèn)電壓較高，為1.8V，在此電壓下可上1600MHz 7-7-7-20，電壓加至2.0V可上1600MHz 7-6-6-20，延遲更低。但搭配i7的話，這么高的電壓就比較危險(xiǎn)了。
內(nèi)存銘牌上的規(guī)格標(biāo)稱比較簡(jiǎn)單，沒有電壓及延遲方面的信息，好在該內(nèi)存能支持基于X48平臺(tái)的XMP技術(shù)，詳細(xì)資料可以從CPU-Z中讀取。
厚重的內(nèi)存散熱片做工不錯(cuò)，鋸齒狀及波浪狀設(shè)計(jì)十分有利于散熱，但散熱片與內(nèi)存顆粒的接觸是一大敗筆，散熱片使用螺絲固定，只有上半部分能與內(nèi)存顆粒緊密結(jié)合，下半部分被架空，散熱效果就要打折扣了。
內(nèi)存顆粒方面，Kingmax選用了早期名噪一時(shí)的鎂光D9JNM，這種顆粒超頻能力極強(qiáng)，但需要加很高的電壓，一般1.8V-1.9V為宜，更高電壓還有助于內(nèi)存工作在更低延遲下，但低壓下的表現(xiàn)就比較普通了。
下面就來看看針對(duì)X48平臺(tái)的DDR3用在X58平臺(tái)上時(shí)的表現(xiàn)如何。
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