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誰能滿足i7胃口？三通道DDR3內(nèi)存橫評

● 創(chuàng)見6GB DDR3-1333套裝實(shí)物賞析：

    這是創(chuàng)見單條2GB DDR3-1333的內(nèi)存，市場上既有單條包裝也有三條一體的三通道包裝，內(nèi)存條本身沒有任何區(qū)別，其參數(shù)及特性非常適合i7+X58平臺使用。

單條2GB，默認(rèn)DDR3-1333，9-9-9延遲，完全遵守JEDEC標(biāo)準(zhǔn)

  
內(nèi)存條的正反兩面

    創(chuàng)見2GB DDR3-1333內(nèi)存采用了BrainPower的高品質(zhì)6層PCB設(shè)計(jì)，版本號為B63URCB 0.70。一般來說，BrainPower的PCB要比JEDEC所提供的“公版”及改良版擁有更佳的電氣性能，清晰、精簡的走線配合繁多的阻容元件可以有效防止傳輸信號回蕩所造成的數(shù)據(jù)緩沖區(qū)益處等現(xiàn)象。因此BrainPower PCB備受內(nèi)存大廠青睞，很多DDR3-1600超頻條均使用這種PCB。

    內(nèi)存顆粒既沒有穿馬甲，也沒有經(jīng)過打磨，創(chuàng)見還是很厚道的，不過這也導(dǎo)致這條內(nèi)存看上去普普通通，對于普通用戶缺乏吸引力。創(chuàng)見使用編號為K4B1G0846D-HCH9的三星第4代DDR3內(nèi)存顆粒，單顆1Gb×8bit(128MB)，雙面16顆組成2GB容量64Bit雙Bank，默認(rèn)電壓1.5V，默認(rèn)頻率1333MHz，時序9-9-9，無鉛無汞工藝，最高工作溫度85。

    創(chuàng)見旗下所有內(nèi)存都提供終身質(zhì)保服務(wù)，2GB DDR3-1333條子市場參考價(jià)195元左右，三條就是585元左右，但市場供貨沒有保證。

6GB DDR3 1333(TS1333KLU-6GK)三通道套裝 (報(bào)價(jià) 參數(shù) 圖片 評論 )