誰能滿足i7胃口？三通道DDR3內存橫評
第一章/第三節(jié) DDR3內存的優(yōu)勢：低功耗低發(fā)熱
通過8bit預取技術，DDR3內存的有效頻率在DDR2的基礎上再次翻倍，延續(xù)了SDR/DDR的生命。但DDR3并非是片面提升頻率從而得到高帶寬，實際上DDR3除了高頻率之外，還有很多不為人知的優(yōu)點。
● 工作電壓從1.8V降至1.5V，頻率翻倍的同時功耗下降20-30%
眾所周知，半導體芯片的功耗與晶體管數(shù)成正比，與工作電壓的平方成正比，所以電壓對其功耗與發(fā)熱的影響最大。和CPU/GPU的發(fā)展類似，DRAM在提高頻率和容量的同時，電壓也在不斷的降低。DDR1的標準電壓為2.5V、DDR2下降至1.8V、DDR3則進一步壓縮至1.5V。
理論上來說，同頻率下DDR3會比DDR2省電達30%之多，這里需要強調的是，DDR3-1600的核心頻率與DDR2-800是相同的(都是200MHz)，DDR3的IO頻率雖然翻了一倍但對功耗發(fā)熱的貢獻不大，此消彼長之后DDR3-1600比DDR2-800省電23%！
但是，在DDR3發(fā)展初期，很多內存廠商為了片面追求高頻率，推出過不少高壓高頻內存條，默認1.8V-2V甚至2.2V的內存都有，這些內存的功耗與發(fā)熱顯然不會比DDR2低，這也就導致大家對DDR3產生不好的印象。
● 使用更先進的工藝制造，容量翻倍的同時功耗再降
時代在發(fā)展工藝在進步，DDR3作為最新產品自然會使用非常先進的工藝制程，與早期6Xnm工藝的顆粒相比，新投產的5Xnm可以將DRAM顆粒的功耗再降33%，還不到DDR2的一半！
經常關注筆記本的朋友應該會發(fā)現(xiàn)2008下半年很多品牌都開始標配DDR3內存，筆記本領先臺式機開始普及DDR3，雖然筆記本CPU尚無法利用到DDR3內存的巨大帶寬，但超低的功耗是非常誘人的，一些專為筆記本設計的內存將電壓進一步降至1.35V，功耗僅為DDR2的37%，確實不可思議！
● DDR3的最大誤區(qū)：相對延遲變大，絕對延遲變小
在DDR3發(fā)布初期，由于其性能表現(xiàn)并沒有想象中的那么好，所以很多人認為DDR3被它較高的延遲拖了后腿，事實上這個論調在DDR2初代內存身上也出現(xiàn)過，并不稀奇。那么DDR3真的是延遲太高影響性能了嗎？
DDR3的I/O頻率相比DDR2有了成倍的增加，為了保證高頻率下數(shù)據(jù)精確的傳遞，DDR3的總體延遲相比DDR2有所提高。這些延遲的提高會一定程度上造成內存性能下降，但絕不會超過高頻率帶來的性能提升。事實上除了理論CL值這些延遲之外，內存真正的延遲還與工作頻率有關：
片面地認為CL數(shù)值大就是DDR3延遲表現(xiàn)不及DDR2，是完全錯誤無知的觀念。事實上，JEDEC定下的DDR2-533的CL 4-4-4、DDR2-667的CL 5-5-5及DDR2-800的 CL6-6-6，其內存延遲均為15ns。
內存實際延遲 = CL值*1000/IO頻率
通過公式代入計算就能得出，DDR3-1066 C7、DDR3-1333 C8、DDR3-1600 C9的實際延遲都要低于DDR2默認的15ns，和主流的DDR2-800 C5差不多。不論DDR2還是DDR3都有高頻低延遲的型號，DDR3依然占據(jù)上風。因此消費者以CAS數(shù)值當成內存模塊的延遲值是不正確的。
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